第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表。

　　隨著“碳達峰、碳中和”戰(zhàn)略的推進實施，綠色、低碳、清潔能源等技術將加速應用，第三代半導體材料作為實現(xiàn)高效電能轉換技術的重要支撐獲得快速發(fā)展。2022年我國第三代半導體功率電子和微波射頻兩個領域實現(xiàn)總產(chǎn)值141.7億元，較2021年增長11.7%。2023年我國SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達85.4億元，GaN微波射頻產(chǎn)值達70億元，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子兩個領域實現(xiàn)市場規(guī)模155億元。

　　2023年6月2日，工信部等五部門聯(lián)合印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實施意見》提出重點提升電子整機裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導體功率器件等電子元器件的可靠性水平，有力推動功率半導體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2023年8月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《新產(chǎn)業(yè)標準化領航工程實施方案（2023-2035年）》，提到全面推進新興產(chǎn)業(yè)標準體系建設，研制智能傳感器、功率半導體器件、新型顯示器件等基礎器件標準。

　　2023年9月5日，為貫徹落實全省推動電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會精神，加快第三代半導體、電子特種氣體、新型顯示、光伏、大數(shù)據(jù)等細分行業(yè)發(fā)展，推進制造強省建設，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關于支持第三代半導體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》。提出要支持設計研發(fā)驗證；推動科技成果轉化；打造京津冀集成電路產(chǎn)業(yè)集群；培育企業(yè)做強做優(yōu)；支持重大項目建設；鼓勵產(chǎn)品創(chuàng)新應用；支持舉辦行業(yè)活動；優(yōu)化行業(yè)監(jiān)管服務等八項措施支持第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　我國第三代半導體技術和產(chǎn)業(yè)都取得較好進展，但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。

　　中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2028年中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導體行業(yè)趨勢預測及投資機會研究報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業(yè)的總體概況及全球行業(yè)發(fā)展形勢，接著分析了中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場總體發(fā)展狀況以及全國重要區(qū)域發(fā)展狀況。然后分別對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈相關行業(yè)、行業(yè)重點企業(yè)的經(jīng)營狀況及行業(yè)項目案例投資進行了詳盡的透析。最后，報告對第三代半導體行業(yè)進行了投資分析并對行業(yè)未來發(fā)展前景進行了科學的預測。

報告目錄

第一章　第三代半導體相關概述

1.1　第三代半導體基本介紹

1.1.1　基礎概念界定

1.1.2　主要材料簡介

1.1.3　歷代材料性能

1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義

1.2　第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析

1.2.1　材料發(fā)展歷程

1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景

1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉移路徑

1.3　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構成及特點

1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結構簡介

1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析

1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系

1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

第二章　2022-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

2.1　2022-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況

2.1.1　政府部署情況

2.1.2　市場發(fā)展規(guī)模

2.1.3　行業(yè)技術進展

2.1.4　企業(yè)競爭格局

2.1.5　區(qū)域競爭格局

2.1.6　行業(yè)競爭趨勢

2.1.7　行業(yè)前景展望

2.2　美國

2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模

2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術優(yōu)勢

2.2.3　技術研究中心

2.2.4　國家支持基金

2.2.5　產(chǎn)線建設動態(tài)

2.2.6　戰(zhàn)略層面部署

2.3　日本

2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃

2.3.2　封裝技術聯(lián)盟

2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因

2.3.4　技術領先狀況

2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局

2.3.6　國際合作動態(tài)

2.4　歐盟

2.4.1　企業(yè)布局情況

2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎

2.4.3　前沿企業(yè)格局

2.4.4　未來發(fā)展熱點

第三章　2022-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析

3.1　政策環(huán)境（Political）

3.1.1　中央部委政策支持

3.1.2　地方政府扶持政策

3.1.3　國家標準現(xiàn)行情況

3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響

3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）

3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況

3.2.2　工業(yè)運行情況

3.2.3　社會融資規(guī)模

3.2.4　宏觀經(jīng)濟展望

3.3　社會環(huán)境（Social）

3.3.1　社會教育水平

3.3.2　知識專利水平

3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入

3.3.4　技術人才儲備

3.4　技術環(huán)境（Technological）

3.4.1　專利申請狀況

3.4.2　科技計劃專項

3.4.3　制造技術成熟

3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟

第四章　2022-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

4.1　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點

4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間

4.1.2　背光市場空間逐步擴大

4.1.3　襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)

4.1.4　產(chǎn)業(yè)上升國家戰(zhàn)略層面

4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉移明顯

4.2　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

4.2.2　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范

4.2.3　國產(chǎn)替代狀況

4.2.4　行業(yè)發(fā)展空間

4.3　2022-2024年中國第三代半導體市場運行狀況分析

4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模

4.3.2　產(chǎn)業(yè)企業(yè)布局

4.3.3　產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展

4.3.4　市場供需分析

4.4　2022-2024年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析

4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放

4.4.2　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀

4.4.3　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局

4.4.4　上游材料競爭狀況分析

4.5　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析

4.5.1　技術缺乏市場競爭力

4.5.2　基礎研究能力欠缺

4.5.3　中試平臺成本高

4.5.4　制造技術未完全成熟

4.6　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策

4.6.1　加大研發(fā)支持力度

4.6.2　完善產(chǎn)業(yè)體系生態(tài)

4.6.3　加快技術成果轉化

4.6.4　加強國際科技合作

第五章　2022-2024年第三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析

5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發(fā)展狀況

5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條

5.1.2　GaN結構性能

5.1.3　GaN制備工藝

5.1.4　GaN材料類型

5.1.5　技術專利情況

5.1.6　技術發(fā)展趨勢

5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析

5.2.1　項目建設動態(tài)

5.2.2　材料價格走勢

5.2.3　材料技術水平

5.2.4　市場應用進展

5.2.5　應用市場預測

5.2.6　市場競爭狀況

5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

5.3.1　器件產(chǎn)品類別

5.3.2　GaN晶體管

5.3.3　射頻器件產(chǎn)品

5.3.4　電力電子器件

5.3.5　光電子器件

5.4　GaN器件應用領域及發(fā)展情況

5.4.1　電子電力器件應用

5.4.2　高頻功率器件應用

5.4.3　應用實現(xiàn)條件與對策

5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

5.5.1　器件技術難題

5.5.2　電源技術瓶頸

5.5.3　風險控制建議

第六章　2022-2024年第三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析

6.1　SiC材料基本性質與制備技術發(fā)展狀況

6.1.1　SiC性能特點

6.1.2　SiC制備工藝

6.1.3　SiC產(chǎn)品類型

6.1.4　單晶技術專利

6.1.5　技術難點分析

6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析

6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析

6.2.2　材料市場規(guī)模

6.2.3　市場價格走勢

6.2.4　市場供應分析

6.2.5　市場需求方分析

6.2.6　材料技術水平

6.2.7　市場龍頭企業(yè)

6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

6.3.1　產(chǎn)品結構設計

6.3.2　電力電子器件

6.3.3　功率模塊產(chǎn)品

6.3.4　器件產(chǎn)品布局

6.4　SiC器件應用領域及發(fā)展情況

6.4.1　SiC下游主要應用場景

6.4.2　SiC導電型器件應用

6.4.3　SiC半絕緣型器件應用

6.4.4　SiC新能源汽車領域應用

6.4.5　SiC充電樁領域應用

第七章　2022-2024年第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析

7.1�、笞宓�化物半導體材料發(fā)展分析

7.1.1　基礎概念介紹

7.1.2　材料結構性能

7.1.3　材料制備工藝

7.1.4　主要器件產(chǎn)品

7.1.5　應用發(fā)展狀況

7.1.6　發(fā)展建議對策

7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析

7.2.1　基本概念介紹

7.2.2　材料結構性能

7.2.3　材料制備工藝

7.2.4　主要應用器件

7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析

7.3.1　材料結構性能

7.3.2　材料應用優(yōu)勢

7.3.3　材料國外進展

7.3.4　國內(nèi)技術進展

7.3.5　器件應用發(fā)展

7.3.6　未來發(fā)展前景

7.4　金剛石半導體材料發(fā)展分析

7.4.1　材料結構性能

7.4.2　材料研究背景

7.4.3　材料發(fā)展特點

7.4.4　主要器件產(chǎn)品

7.4.5　應用發(fā)展狀況

7.4.6　國產(chǎn)替代機遇

7.4.7　材料發(fā)展難點

第八章　2022-2024年第三代半導體下游應用領域發(fā)展分析

8.1　第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領域發(fā)展概況

8.1.1　下游應用產(chǎn)業(yè)分布

8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點

8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛

8.2　2022-2024年電力電子領域發(fā)展狀況

8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模

8.2.2　全球應用市場占比

8.2.3　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模

8.2.4　國內(nèi)器件應用分布

8.2.5　器件發(fā)展趨勢分析

8.3　2022-2024年微波射頻領域發(fā)展狀況

8.3.1　射頻器件市場規(guī)模

8.3.2　射頻市場競爭分析

8.3.3　射頻器件市場需求

8.3.4　國防基站應用分析

8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢

8.4　2022-2024年半導體照明領域發(fā)展狀況

8.4.1　發(fā)展政策支持

8.4.2　產(chǎn)業(yè)鏈分析

8.4.3　LED芯片發(fā)展

8.4.4　項目建設動態(tài)

8.4.5　企業(yè)競爭格局

8.5　2022-2024年半導體激光器發(fā)展狀況

8.5.1　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀

8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局

8.5.3　產(chǎn)品結構分析

8.5.4　主要技術分析

8.5.5　國產(chǎn)化趨勢

8.6　2022-2024年5G新基建領域發(fā)展狀況

8.6.1　5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程

8.6.2　行業(yè)投融資狀況

8.6.3　5G助推材料發(fā)展

8.6.4　材料應用發(fā)展方向

8.6.5　產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展展望

8.7　2022-2024年新能源汽車領域發(fā)展狀況

8.7.1　新能源汽車整體產(chǎn)銷規(guī)模

8.7.2　新能源汽車板塊企業(yè)動態(tài)

8.7.3　新能源汽車市場集中度

8.7.4　充電基礎設施運行情況

8.7.5　設施與汽車的對比情況

第九章　2022-2024年第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析

9.1　2022-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況

9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

9.1.2　區(qū)域建設回顧

9.2　京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況

9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況

9.2.4　應用聯(lián)合創(chuàng)新基地

9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.3　中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.4　珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.4.2　廣州產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)

9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)

9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.5　華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況

9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展

9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況

9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.6　第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議

9.6.1　提高資源整合效率

9.6.2　補足SiC領域短板

9.6.3　開展關鍵技術研發(fā)

9.6.4　鼓勵地方加大投入

第十章　2021-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.1　三安光電股份有限公司

10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.1.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.1.3　經(jīng)營效益分析

10.1.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.1.5　財務狀況分析

10.1.6　核心競爭力分析

10.2　聞泰科技股份有限公司

10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.2.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.2.3　經(jīng)營效益分析

10.2.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.2.5　財務狀況分析

10.2.6　核心競爭力分析

10.3　北京賽微電子股份有限公司

10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.3.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.3.3　經(jīng)營效益分析

10.3.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.3.5　財務狀況分析

10.3.6　核心競爭力分析

10.4　廈門乾照光電股份有限公司

10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.4.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.4.3　經(jīng)營效益分析

10.4.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.4.5　財務狀況分析

10.4.6　核心競爭力分析

10.5　湖北臺基半導體股份有限公司

10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.5.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.5.3　經(jīng)營效益分析

10.5.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.5.5　財務狀況分析

10.5.6　核心競爭力分析

10.6　京東方華燦光電股份有限公司

10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.6.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.6.3　經(jīng)營效益分析

10.6.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.6.5　財務狀況分析

10.6.6　核心競爭力分析

10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司

10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.7.2　企業(yè)業(yè)務布局

10.7.3　經(jīng)營效益分析

10.7.4　業(yè)務經(jīng)營分析

10.7.5　財務狀況分析

10.7.6　核心競爭力分析

第十一章　中投顧問對第三代半導體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估

11.1　行業(yè)投資背景

11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模

11.1.2　投資市場周期

11.1.3　行業(yè)投資價值

11.2　行業(yè)投融資情況

11.2.1　國際投資案例

11.2.2　國內(nèi)投資項目

11.2.3　國際企業(yè)并購

11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購

11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)

11.3　行業(yè)投資壁壘

11.3.1　技術壁壘

11.3.2　資金壁壘

11.3.3　貿(mào)易壁壘

11.4　行業(yè)投資風險

11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險

11.4.2　技術迭代風險

11.4.3　行業(yè)競爭風險

11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險

11.5　行業(yè)投資建議

11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇

11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術突破

11.5.3　關注新能源汽車催生需求

11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉型

11.5.5　加強高校與科研院所合作

11.6　投資項目案例

11.6.1　項目基本概述

11.6.2　項目建設必要性

11.6.3　項目建設可行性

11.6.4　項目投資概算

11.6.5　項目建設周期

11.6.6　項目經(jīng)濟效益

第十二章　2024-2028年中投顧問對第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測

12.1　第三代半導體未來發(fā)展趨勢

12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢

12.1.2　未來發(fā)展趨勢

12.1.3　應用領域趨勢

12.2　第三代半導體未來發(fā)展前景

12.2.1　重要發(fā)展窗口期

12.2.2　產(chǎn)業(yè)應用前景

12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇

12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望

12.3　中投顧問對2024-2028年中國第三代半導體行業(yè)預測分析

12.3.1　中投顧問對中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展驅動五力模型分析

12.3.2　2024-2028年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預測